Samsung desenvolve 1ª memória HBM3E 12H DRAM de 36 GB

A Samsung anunciou o desenvolvimento de sua primeira memória HBM3E DRAM de 12-stack. Com 36GB e uma largura de banda de 1.280GB/s, este é o chip HBM de maior capacidade já visto e traz 50% de aumento de capacidade e desempenho em comparação ao atual HBM3 8H.

Para atingir este resultado, foi usado o processo avançado com filme de compressão térmica não condutor (TC NCF) – garantindo que o SKU tivesse 12 camadas no mesmo espaço em que os chips HBM trazem 8 camadas. Este tipo de produção facilita a compatibilidade e aprimora a flexibilidade aos fabricantes de sistemas.

Além disso, a Samsung afirmou que seus novos chips HBM3E tem o menor espaço entre eles: 7µm. O desenvolvimento, ocorrendo desta forma, elimina o vácuo entre as camadas internas do chip e aprimora a densidade vertical em 20%, também comparado aos HBM3 de 8 camadas.

Foco da Samsung nas IAs

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As novas memórias podem acrescentar em desempenho e capacidade, reduzindo o custo para servidores.

É dito que, usado em aplicações de inteligência artificial, a velocidade de treinamento das IAs pode ser completada em até 34% mais rápido com o HBM3E 12H. O uso simultâneo de serviços pode ter sua velocidade aumentada em até 11,5 vezes.

Vale notar que a Samsung já revelou que está enviando amostras do HBM3E 12H para seus parceiros comerciais, mas a produção em massa dos novos chips ocorrerá ainda neste primeiro semestre.

A tecnologia TC NCF

A nova forma de produção TC NCF da Samsung aprimora a temperatura dos chips HBM usando bombas de tamanhos variados internamente. As pequenas, por exemplo, são usadas nas áreas de sinalização. Já as maiores ficam em pontos estratégicos que exigem a dissipação de calor.

É afirmado que este método também aprimora o rendimento da memória. A proposta é simples, apresentar ao mercado uma maior capacidade de HBM com uma velocidade e desempenho mais elevados – trazendo um salto tecnológico aos servidores.

Atendendo às exigências

O vice-presidente de planejamento de produtos de memória da Samsung Electronics, Yongcheol Bae, afirma que o HBM3 12H foi criado para atender à uma determinada demanda na indústria.

Os provedores de serviços de inteligência artificial pedem HBM com maiores capacidades, e nosso HBM3E 12H foi criado para atender esta necessidade. Esta nova solução em memória faz parte de nossos esforços para desenvolver tecnologias essenciais para o HBM de múltiplas camadas e alcançar a liderança tecnológica para o mercado HBM de alta capacidade nesta era das inteligências artificiais.

Yongcheol Bae

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Fonte: SamMobile